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Bandgap Engineering of Bilayer Ge/CdS Thin Films via Interlayer Diffusion under Different Annealing TemperaturesIngeniería de banda prohibida de láminas delgadas bicapa de Ge/CdS mediante difusión entre capas a diferentes temperaturas de recocido

Resumen

Se han depositado películas delgadas bicapa de Ge/CdS sobre un sustrato de vidrio mediante el método de evaporación térmica. Las muestras de Ge/CdS obtenidas se recocieron a temperaturas de hasta 400°C para observar el efecto resultante en los cambios estructurales de la película. Se observó que el bandgap de las películas recocidas aumentaba al aumentar la temperatura de recocido, lo que puede atribuirse al aumento de la difusión entre capas. Se observó que la difusión entre capas tenía efecto por encima de una temperatura de 300°C, lo que se confirmó mediante la técnica de retrodispersión de Rutherford. Se realizó una XPS complementaria para investigar la estequiometría superficial de las bicapas.

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