Resumen

Se sabe que los dispositivos MEMS de RF son superiores a sus homólogos de estado sólido en cuanto a consumo de energía y respuesta electromagnética. Las principales limitaciones de los dispositivos MEMS son su baja velocidad de conmutación, alta tensión de actuación, mayor tamaño y fiabilidad. En el presente trabajo se propone un conmutador RF MEMS unipolar de doble efecto (SPDT) basado en un mecanismo sin anclaje que elimina las desventajas mencionadas. El interruptor propuesto tiene un tiempo de conmutación de 394 nseg con una tensión de actuación de 5 V. El tamaño del conmutador SPDT se reduce utilizando un único conmutador capacitivo en serie en comparación con los conmutadores convencionales con combinaciones capacitivas y en serie. La fiabilidad del conmutador se mejora añadiendo metal flotante y reduciendo la adherencia entre el puente de actuación y la línea de transmisión. La pérdida de inserción y el aislamiento son mejores que -0,6 dB y -20 dB, respectivamente, para aplicaciones de 1 GHz a 20 GHz.

• Materias:Ingeniería electrónica Sensores Redes Inalámbricas Tecnología de sensores Procesamiento de señales asistido por computador Procesamiento de datos
• Subjects:Electronic engineering sensors Wireless Networks Sensor technology Signal processing computer-assisted Data processing
• Palabras claves:dispositivos rf mems, alta tensión de actuación, baja velocidad de conmutación, homólogos de estado sólido, conmutador, aplicaciones ghz, pérdida de inserción, dispositivos mems, conmutador mems, principales limitaciones
• Keywords:rf mems devices, high actuation voltage, low switching speed, solid state counterparts, switch, ghz applications, insertion loss, mems devices, mems switch, major limitations