Resumen

Se utiliza un nuevo método de difusión de boro a bajas temperaturas entre 1150 y 1300°C para la formación de la unión p-i SiC y la región i en un solo proceso tecnológico. Dado que las condiciones de formación de la unión en este método son esencialmente diferentes a las de la difusión convencional (las bajas temperaturas y el proceso de difusión van acompañados de la formación de defectos estructurales), es de especial interés identificar las ventajas y desventajas de un nuevo método de difusión. Los diodos de unión p-i-n de SiC desarrollados tienen un tiempo de conmutación rápido, y la duración de la corriente de recuperación inversa es inferior a 10 ns con una tensión de ruptura de 120-140 V. Los diodos fabricados son capaces de funcionar a temperaturas de hasta 300°C. Como la temperatura del proceso de difusión es inferior a la temperatura de fusión del silicio, esta nueva tecnología permite fabricar diodos sobre la base de estructuras epitaxiales de SiC/Si.

• Materias:Polímeros Campos electromagnéticos Hornos de cemento Poliuretanos Nanopartículas Cemento
• Subjects:Polymers Electromagnetic fields Cement kilns Polyurethanes Nanoparticles Cement
• Palabras claves:baja temperatura, corriente de recuperación inversa, temperatura del silicio, temperatura de difusión, condiciones de formación de la unión, métodos de difusión, fabricación del diodo, métodos del boro, proceso de difusión, base de sic
• Keywords:low temperature, reverse recovery current, temperature of silicon, temperature of diffusion, junction formation conditions, methods of diffusion, fabrication of diode, methods of boron, process of diffusion, base of sic