Resumen

Hemos estudiado las caracterizaciones de ruido de baja frecuencia en pMOSFET de 28 nm de alta k (HK) con fuente/drenaje (S/D) de SiGe incrustado mediante mediciones simultáneas de ruido 1 / f y ruido telegráfico aleatorio. Se ha observado que en el pMOSFET HK con S/D de SiGe incrustado existía una deformación por compresión uniaxial. La deformación por compresión indujo la disminución de la longitud de atenuación de efecto túnel, lo que refleja la profundidad de la trampa de óxido desde la interfaz Si/SiO2 hasta la capa HK, de modo que las trampas de óxido situadas a distancia de la interfaz aislante/semiconductor no pueden capturar portadores en el canal. En consecuencia, se observa un menor nivel de ruido 1 / f en el pMOSFET de HK con S/D de SiGe embebido, gracias a las menores fluctuaciones de portador debidas a comportamientos de trampa/atrape. Este resultado representa una ventaja intrínseca del pMOSFET HK que utiliza SiGe S/D integrado en las características de ruido de baja frecuencia.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:pmosfet hk, sige s, mediciones de ruido telegráfico aleatorio, características de ruido de frecuencia, caracterizaciones de ruido de frecuencia, menos fluctuaciones de portador, profundidad de trampa de óxido, longitud de atenuación de efecto túnel, tensión de compresión uniaxial, capa hk
• Keywords:hk pmosfet, sige s, random telegraph noise measurements, frequency noise characteristics, frequency noise characterizations, less carrier fluctuations, oxide trap depth, tunneling attenuation length, uniaxial compressive strain, hk layer