Resumen

Las capas absorbentes de CuInSe2 se depositaron sobre sustratos de Mo/vidrio utilizando el método de recubrimiento por pulverización (SCM). En primer lugar, el polvo de CIS se molió en partículas a nanoescala; a continuación, las partículas de 6 wt IS se dispersaron en alcohol isopropílico (IPA) para obtener la solución para SCM. Se pulverizaron 0,05 mL de solución de CIS sobre los sustratos de Mo/vidrio de 2 cm × 1 cm y, a continuación, las películas de solución de CIS se recocieron en un horno de selenización bajo diferentes parámetros. Al principio, se introdujeron 0,2 g de Se adicionales en el horno, el tiempo de selenización fue de 5 min, y la temperatura de selenización se cambió de 450°C a 600°C. Tras encontrar la mejor temperatura de selenización de 550°C y fijar el tiempo de selenización en 5 min, el proceso de selenización se fijó en 550°C y el contenido extra de Se se cambió de 0 g a 0,6 g. En este estudio se investigaron las influencias de la temperatura de selenización y del contenido extra de Se en las morfologías de la superficie y de la sección transversal, la cristalización, la movilidad hall y la concentración de portadores y la resistividad de las capas absorbentes CIS.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:contenido extra de se, sustratos de vidrio, temperatura de selenización, tiempo de selenización, capas absorbentes de cis, películas de solución de cis, capas absorbentes de cuinse2, mejor temperatura de selenización, ml de solución de cis, método de recubrimiento por pulverización
• Keywords:extra se content, glass substrates, selenization temperature, selenization time, cis absorber layers, cis solution films, cuinse2 absorber layers, better selenization temperature, ml cis solution, spray coating method