Resumen

Se estudió la fuente/drenaje (S/D) de SiGe embebido (eSiGe) para mejorar el rendimiento del PMOS. Se llevaron a cabo investigaciones detalladas sobre el efecto del caudal de gas GeH4 y B2H6 en el dopado de boro resultante de la capa de SiGe (en una oblea de 40 nm). Se realizaron varios experimentos de crecimiento epitaxial de SiGeB en condiciones experimentales sistemáticamente variables. Se investigaron las características estructurales y químicas clave de las capas de SiGeB mediante Espectroscopía de Masas de Iones Secundarios (SIMS), modo de difracción de nanohaz (NBD) y la propia Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM). Además, también se miden las prestaciones Ion/Ioff de los transistores PMOS de 40 nm mediante los Sistemas de Pruebas Paramétricas para la industria de semiconductores. Los resultados indican que la relación entre los caudales de gas GeH4 y B2H6 influye no sólo en el contenido de Ge y Boro de la capa de SiGeB, sino también en la deformación del canal PMOS y en la morfología de las regiones S/D de eSiGe, que afectan directamente al rendimiento del PMOS. Además, se discute brevemente el mecanismo de dopado con Boro durante el crecimiento de la capa de SiGe en la oblea patrón. Se espera que los resultados y el debate presentados en este artículo contribuyan a la optimización del factor de tensión de eSiGe, destinado a dispositivos CMOS avanzados.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:rendimiento del pmos, caudal de gas b2h6, influencias del caudal de gas b2h6, espectroscopia de masas de iones secundarios, tensión del canal del pmos, sistemas de pruebas paramétricas, crecimiento de la capa sige, microscopia electrónica de transmisión, dispositivos cmos avanzados, experimentos de crecimiento epitaxial
• Keywords:pmos performance, b2h6 gas flow rate, b2h6 gas flow rates influences, secondary ion mass spectroscopy, pmos channel strain, parametric test systems, sige layer growth, transmission electron microscopy, advanced cmos devices, epitaxial growth experiments