Resumen

La célula solar Schottky de grafeno-silicio (Gr-Si) ha atraído mucha atención recientemente como candidato prometedor para aplicaciones fotovoltaicas de bajo coste. Para fabricar una célula solar Gr-Si, la película de grafeno suele transferirse al sustrato de Si mediante un proceso de transferencia húmeda. Sin embargo, las impurezas inducidas por este proceso en la interfase grafeno/silicio (Gr/Si), como H2O y O2, degradan el rendimiento fotovoltaico de la célula solar Gr-Si. Hemos descubierto que el proceso de recocido térmico puede mejorar eficazmente el rendimiento fotovoltaico de la célula solar Gr-Si mediante la eliminación de estas impurezas en la interfaz Gr/Si. Y lo que es más interesante, el rendimiento fotovoltaico de la célula solar Gr-Si puede mejorarse aún más cuando se expone al aire después del proceso de recocido térmico. Mediante la investigación de las características de la célula solar Gr-Si y las propiedades de la película Gr (densidad de portadores y resistencia de lámina), señalamos que este fenómeno está causado por el efecto de dopaje natural de la película Gr.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:célula solar, proceso de recocido térmico, película gr, rendimiento fotovoltaico, efecto de dopaje natural, proceso de transferencia húmeda, impurezas, silicio, interfaz si, sustrato si
• Keywords:solar cell, thermal annealing process, gr film, photovoltaic performance, natural doping effect, wet transfer process, impurities, silicon, si interface, si substrate