Resumen

Se han investigado experimentalmente la corriente de cortocircuito ( I s c ), la tensión de circuito abierto ( V o c ) y el punto de máxima potencia ( V M P P , I M P P ) de células solares de silicio monocristalino y multicristalino bajo tres tipos de patrones de sombreado parcial. Los sombreados parciales son, respectivamente, las nueve ubicaciones de refugio mediante tarjeta negra de 1 cm × 1 cm, las seis ubicaciones de refugio mediante tarjeta negra de 2 cm × 1 cm, y los refugios centrales con tarjetas negras de triángulo isósceles, círculo, cuadrado y dos rectángulos cuyas áreas son de 2 cm2. En primer lugar, los resultados muestran que el sombreado parcial provoca pérdidas desproporcionadamente altas en esos parámetros de ambas células, pero tendrá un efecto mínimo en V o c . En segundo lugar, se observa que los parámetros de la célula monocristalina dependen menos del sombreado que los de la célula multicristalina. En tercer lugar, se observa que la I s c y la I M P P de ambas células disminuirán drásticamente cuando se utilice una tarjeta de sombreado negra rectangular con un lado largo paralelo al dedo de la célula, en comparación con el lado normal al dedo de la célula. Por último, se observa que los efectos del sombreado sobre los parámetros eléctricos de ambas células se suprimirán cuando las líneas de borde del sombreado coincidan con el tamaño de la célula sombreada.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:i m p p, v o c, celdas, tarjeta negra, cm ×, ubicaciones de los refugios, v m p p, tarjeta negra rectangular de sombreado, altas pérdidas desproporcionadas, lado largo paralelo
• Keywords:i m p p, v o c, cells, black card, cm ×, shelter locations, v m p p, rectangular black shading card, disproportional high losses, long side parallel