Resumen

El defecto es uno de los factores clave en la reducción de la fiabilidad del módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), por lo que desarrollar un método de diagnóstico para los defectos dentro del módulo IGBT es una medida importante para evitar fallas catastróficas y mejorar la fiabilidad de los convertidores electrónicos de potencia. Por esta razón, en este artículo se presenta un novedoso método de diagnóstico basado en la teoría de la entropía aproximada (ApEn), que puede proporcionar un diagnóstico estadístico y permitir al operador reemplazar los módulos IGBT defectuosos de manera oportuna. El método propuesto se logra mediante el análisis del ApEn cruzado de los voltajes de puerta antes y después de la aparición de los defectos. Debido al daño local causado por el envejecimiento, los parámetros parásitos intrínsecos de los materiales de embalaje o chips de silicio dentro del módulo IGBT, como inductancias y capacitancias parásitas, pueden cambiar con el tiempo

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Defecto; Método de diagnóstico; Módulo IGBT; Entropía aproximada; Voltaje de compuerta; Confiabilidad
• Keywords:Defect; Diagnostic method; IGBT module; Approximate entropy; Gate voltage; Reliability