Resumen

Para obtener un rendimiento óptimo de las células solares de heterounión de silicio amorfo hidrogenado/silicio cristalino (a-Si : H/c-Si), la concentración de dopaje, los estados localizados y el espesor de la capa emisora son cruciales, ya que el nivel de Fermi, la calidad de la superficie pasivada y la absorción de la luz tienen que verse comprometidos por sí mismos. Para ello, se investigó el efecto tanto de la concentración de dopaje como del espesor de la capa emisora. Se comprobó que con una concentración de dopaje en fase gaseosa y un espesor de la capa emisora de 3 y 7 nm, se puede alcanzar una eficiencia de la célula solar superior al 14,6 %. Para una concentración de dopaje en fase gaseosa elevada, se produjo una degradación de la tensión de circuito abierto, así como de la eficiencia de la célula, debido al mayor desorden en la capa emisora. El alto grado de dopaje y el mayor grosor de la capa emisora provocan la absorción de luz en longitudes de onda cortas y, por tanto, una disminución de la densidad de corriente de cortocircuito.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:capa emisora, espesor, concentración de dopaje, absorción de luz, concentración de dopaje en fase gaseosa, alta concentración de dopaje en fase gaseosa, resultados de la capa emisora, espesor de la capa emisora, eficiencia de la célula solar, nivel de fermi
• Keywords:emitter layer, thickness, doping concentration, light absorption, gas phase doping concentration, high gas phase doping concentration, emitter layer results, emitter layer thickness, solar cell efficiency, fermi level