Resumen

El continuo escalado dimensional de la tecnología CMOS, junto con su reducción de costes, ha convertido a la memoria Flash en uno de los candidatos a memoria no volátil más prometedores durante la última década. Dado que la tecnología de memoria Flash se acerca inevitablemente a sus límites fundamentales, se están explorando nanodispositivos de almacenamiento más avanzados, que probablemente puedan superar los límites de escalado de la memoria Flash, dando lugar a una serie de nuevos paradigmas como la FeRAM, la MRAM, la PCRAM y la ReRAM. Estos dispositivos han mostrado una mayor capacidad de escalado que la memoria Flash, pero también se enfrentan a sus respectivos inconvenientes físicos. Las consiguientes ventajas y desventajas impulsan la tecnología de los dispositivos de almacenamiento de información hacia un mayor avance; en consecuencia, se han propuesto nuevos tipos de memorias no volátiles, como la memoria de carbono, la memoria de Mott, la memoria macromolecular y la memoria molecular. En este artículo se analizan los nanomateriales utilizados en estos cuatro tipos de memorias emergentes y los principios físicos que subyacen a los métodos de escritura y lectura en cada caso, junto con sus respectivas ventajas e inconvenientes en comparación con las memorias no volátiles convencionales. También se evalúan brevemente las posibles aplicaciones de cada tecnología.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:memoria flash, tecnología de dispositivos de almacenamiento de información, candidatos prometedores a memoria no volátil, escalado dimensional continuo, tecnología de memoria flash, nanodispositivos de almacenamiento avanzado, mejor capacidad de escalado, memorias no volátiles convencionales, inconvenientes físicos respectivos, tecnología cmos
• Keywords:flash memory, information storage device technology, promising nonvolatile memory candidates, continuous dimensional scaling, flash memory technology, advanced storage nanodevices, better scaling capability, conventional nonvolatile memories, respective physical drawbacks, cmos technology