Resumen

Se analizaron las dislocaciones y la rugosidad superficial en una heteroestructura de AlGaN/AlN/GaN mediante microscopía electrónica de transmisión (TEM) y microscopía de fuerza atómica (AFM), respectivamente, y se estudiaron los mecanismos de limitación de la movilidad en el gas bidimensional de electrones (2DEG) utilizando un modelo teórico que tenía en cuenta los mecanismos de dispersión más importantes. Una función de correlación exponencial proporciona una mejor descripción de las propiedades estadísticas de la rugosidad superficial que la forma gaussiana, por lo que se adopta en el modelo teórico. Los resultados calculados concuerdan bien con los datos de Hall. Las medidas cuantitativas de las dislocaciones y de la rugosidad superficial permiten evaluar la importancia relativa de cada mecanismo extrínseco de dispersión.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:rugosidad superficial, modelo teórico, microscopía de fuerza atómica, gas electrónico dimensional, función de correlación exponencial, mecanismos de limitación de la movilidad, microscopía electrónica de transmisión, dislocaciones, heteroestructura gan, forma gaussiana
• Keywords:surface roughness, theoretical model, atomic force microscopy, dimensional electron gas, exponential correlation function, mobility limitation mechanisms, transmission electron microscopy, dislocations, gan heterostructure, gaussian form