Resumen

Teniendo en cuenta la anisotropía elástica, utilizamos un modelo dependiente de la posición de la dislocación para calcular el lugar preferente de formación del segmento de dislocación mixta de 60° no interfacial en puntos cuánticos (QDs) InAs/GaAs con forma de elipsoide que se observa en el experimento. De los resultados se desprende claramente que las posiciones cercanas al borde derecho del punto cuántico son las zonas energéticamente favorables para las dislocaciones mixtas no interfaciales de 60°.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:segmento de dislocación mixta, sitio de formación preferente, modelo dependiente, posición de dislocación, anisotropía elástica, zonas favorables, dislocaciones mixtas, punto cuántico, puntos cuánticos, borde derecho
• Keywords:mixed dislocation segment, preferential formation site, dependent model, dislocation position, elastic anisotropy, favorable areas, mixed dislocations, quantum dot, quantum dots, right edge