Resumen

Las numerosas aplicaciones técnicas en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, como láseres, diodos y sensores, exigen un monocristal de carburo de silicio (SiC) a granel de alta calidad para aplicaciones industriales. Consideramos un proceso de crecimiento de cristales de SiC por transporte físico de vapor (PVT), denominado método de Lely modificado. Abordamos un modelo para las micro y macros escalas de los procesos de sublimación dentro del aparato de crecimiento. El modelo macroscópico se basa en la ecuación del calor con fuentes de calor debidas al calentamiento por inducción y condiciones de interfaz no locales, que representan la transferencia de calor por radiación. El modelo microscópico se basa en el potencial interatómico cuántico y se calcula mediante dinámica molecular. Estudiamos la evolución de la temperatura en el aparato y reflejamos el comportamiento de crecimiento del modelo microscópico. Presentamos los resultados de algunas simulaciones numéricas de los micromodelos y macromodelos de nuestro aparato de crecimiento.

• Materias:Análisis Matemático Álgebra Matemática aplicada Lógica matemática
• Subjects:Mathematical Analysis Algebra Applied Mathematics Mathematical logic
• Palabras claves:aparato de crecimiento, modelo microscópico, proceso de crecimiento de cristales sic, condiciones de interfaz no locales, numerosas aplicaciones técnicas, transporte físico de vapor, carburo de silicio de calidad, potencial interatómico cuántico, método micro-, lely
• Keywords:growth apparatus, microscopic model, sic crystal growth process, nonlocal interface conditions, numerous technical applications, physical vapor transport, quality silicon carbide, quantum interatomic potential, micro-, lely method