Resumen

El grafeno multicapa (MLG) cultivado por Deposición Química de Vapor presenta una gran magnetorresistencia fuera del plano debido al efecto de magnetorresistencia entre capas (ILMR). Es esencial identificar los factores que influyen en este efecto para explorar su potencial en aplicaciones de detección magnética y almacenamiento de datos. Se ha demostrado anteriormente que el efecto ILMR es sensible al acoplamiento entre capas y a la orientación del campo magnético con respecto a la dirección fuera del plano (eje c). En este trabajo, investigamos el papel del espesor del MLG en el efecto ILMR. Nuestros resultados muestran que la magnitud del efecto ILMR aumenta con el número de capas de grafeno en la pila MLG. Sorprendentemente, los dispositivos más gruesos presentan una conmutación de la resistencia inducida por el campo por un factor de al menos ~107. Este efecto persiste incluso a temperatura ambiente y, por lo que sabemos, no se han descrito antes en la bibliografía valores de magnetorresistencia tan elevados a campos y temperaturas comparables. Además, se observa un efecto de RM oscilatorio a valores de campo más elevados. Se presenta una explicación física de este efecto, que es coherente con nuestro escenario experimental.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:efecto ilmr, efecto, valores de magnetorresistencia tan grandes, dispositivos más gruesos exhiben campo, deposición química de vapor, aplicaciones de almacenamiento de datos, valores de campo más altos, efecto mr oscilatorio, pila mlg, grosor mlg
• Keywords:ilmr effect, effect, such large magnetoresistance values, thicker devices exhibit field, chemical vapor deposition, data storage applications, higher field values, oscillatory mr effect, mlg stack, mlg thickness