Resumen

El presente artículo investiga el estado actual de los tiempos de almacenamiento en QDs autoorganizados, estudiando una variedad de heteroestructuras ventajosas para un fuerte confinamiento de electrones y/o huecos. Se enumeran los datos experimentales de las propiedades electrónicas, como las energías de localización y las secciones transversales de captura. Basándonos en la teoría de la emisión térmica de portadores desde QDs, extrapolamos los valores para materiales que aumentarían el tiempo de almacenamiento a temperatura ambiente a más de millones de años. Para el almacenamiento de electrones, se proponen GaSb/AlSb, GaN/AlN e InAs/AlSb. Para el almacenamiento de huecos, GaSb/Al0,9Ga0,1As, GaSb/GaP y GaSb/AlP son candidatos prometedores.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:gasb, alsb, qds, datos experimentales, estado actual, almacenamiento de electrones, propiedades electrónicas, confinamiento de huecos, almacenamiento de huecos, energías de localización
• Keywords:gasb, alsb, qds, experimental data, current status, electron storage, electronic properties, hole confinement, hole storage, localization energies