Resumen

La conmutación entre estados de alta resistencia y estados de baja resistencia en un dispositivo de memoria resistiva de acceso aleatorio depende principalmente de la formación y fractura de filamentos conductores. Sin embargo, la aleatoriedad del crecimiento de los filamentos conductores y la posible ruptura de la gran tensión en el proceso de formación provocarán una conmutación resistiva y un rendimiento de la memoria inestables. Hemos estudiado el posible proceso natural de formación de filamentos conductores por defectos intrínsecos bajo la influencia del material del electrodo superior, basándonos en la estructura de W/HfO2-x/Pt. Este sencillo dispositivo muestra un largo tiempo de retención y grandes ciclos de resistencia. Se construyó el modelo de filamento conductor dendrítico de vacante de oxígeno (VO) y se describió la migración dinámica de VO bajo polarización externa direccional de acuerdo con el rendimiento eléctrico característico. Además, también exploramos la relación entre la resistencia multinivel y la evolución de un filamento conductor dendrítico de VO, lo que significa la aplicación potencial del almacenamiento multinivel en el futuro. Además, se fabricó un selector Ag/HfO2-x/Ag para ensamblar el dispositivo de memoria en conexión de hilo que muestra el potencial de eliminar la corriente de fuga en el conjunto de memoria. La conexión también indica que el proceso de fabricación de la estructura 1S1R puede simplificarse utilizando la misma capa funcional.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:filamentos conductores, dispositivo de memoria resistiva de acceso aleatorio, rendimiento eléctrico característico, crecimiento de filamentos conductores, modelo de filamento conductor, vacante dendrítica de oxígeno, polarización externa direccional, migración dinámica de vo, grandes ciclos de resistencia, estados de alta resistencia
• Keywords:conductive filaments, resistive random access memory device, characteristic electrical performance, conductive filament growth, conductive filament model, dendritic oxygen vacancy, directional external bias, dynamic vo migration, great endurance cycles, high resistance states