Resumen

El contenido de hidrógeno es una magnitud clave en la evaluación del estado y el diagnóstico de averías de los transformadores de potencia. Basándose en la teoría del funcional de la densidad (DFT), en este trabajo se ha estudiado sistemáticamente el mecanismo de adsorción de la superficie de SnO2 dopada con Cu hacia el H2. En primer lugar, se calculan la relajación, la longitud de enlace y la población de solapamiento tanto del SnO2 puro como del dopado con Cu. Para determinar la posición óptima de dopaje, se comparan entre sí las energías de formación de cuatro sitios potenciales (es decir, Sn5c, Sn6c, Sn5c-s y Sn6c-s). Se analizan y discuten en detalle la energía de adsorción y la estructura electrónica de la superficie del SnO2. Además, para estimar las cargas atómicas parciales y la conductancia eléctrica, también se realiza el análisis de población de Mulliken. Se ha encontrado que el oxígeno puente es la posición más favorable. La densidad parcial de estados del H2 tras la adsorción se ensancha y se desplaza cerca del nivel de Fermi. Una gran cantidad de cargas se transferirían y luego se liberarían de nuevo en su banda de conducción, dando lugar a la reducción de la resistencia y la mejora de la sensibilidad hacia el H2. Los resultados de este trabajo proporcionan referencias para el diseño de sensores basados en SnO2.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:superficie sno2, análisis de población mulliken, posición óptima de dopaje, cargas atómicas parciales, sn5c, sn6c, sno2, trabajo, nivel de fermi, energía de adsorción
• Keywords:sno2 surface, mulliken population analysis, optimal doping position, partial atomic charges, sn5c, sn6c, sno2, work, fermi level, adsorption energy