Resumen

En este trabajo, se ha investigado el mecanismo de contacto óhmico de los electrodos de Ni sobre 4H-n-SiC con cara de C mediante la evaluación de las propiedades eléctricas y microestructurales en la interfaz de contacto en función de temperaturas de recocido que oscilan entre 950 y 1100°C. Se determinó que el Ni-siliciuro, especialmente la fase NiSi, desempeña un papel clave en la formación de contactos óhmicos en lugar de un aumento de las vacantes de carbono en el sustrato de SiC con cara de C. Se observó una fase NiSi orientada verticalmente en el sustrato. En la muestra recocida térmicamente a la temperatura optimizada se observó una fase NiSi orientada verticalmente que se comporta como una vía de corriente. Un mayor aumento de la temperatura de recocido conduce a la degradación del comportamiento óhmico debido a la formación de NiSi de tipo horizontal en la estructura Ni-siliciuro/NiSi/SiC rica en Ni.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:fase nisi, mecanismo de contacto óhmico, formación, siliciuro, temperatura, electrodos ni, estructura sic, sustrato sic, vacantes de carbono, interfaz de contacto
• Keywords:nisi phase, ohmic contact mechanism, formation, silicide, temperature, ni electrodes, sic structure, sic substrate, carbon vacancies, contact interface