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Growth Mechanism of Cubic-Silicon Carbide NanowiresMecanismo de crecimiento de nanocables de carburo de silicio cúbico

Resumen

Los nanocables de SiC cúbico se sintetizaron utilizando polvo de carbón activado y sustrato de Si en vacío a 1200-1350∘C durante 1-4 horas. Los nanocables crecieron de acuerdo con los siguientes mecanismos propuestos: (1) difusión de C/CO en el sustrato de Si, (2) debilitamiento del enlace de Si y expulsión atómica, (3) formación de Si-C en fase vapor, (4) formación de una capa saturada de SiC, (5) formación de una nanoestructura de SiC piramidal y (6) formación de nanocables de SiC.

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