Resumen

Se prepararon nanocristales de Ge (Ge-ncs) incrustados en una estructura superred de SiO2 mediante cosputtering por magnetrón y recocido postdeposición. La formación de nanocristales esféricos se confirmó mediante microscopía electrónica de transmisión y su proceso de crecimiento se estudió mediante una combinación de técnicas espectroscópicas. Se observó que la fracción de volumen de cristalinidad del componente Ge aumentaba con el tamaño de la cristalita, pero sus valores globalmente bajos indicaban una coexistencia de fases cristalinas y no cristalinas. Se observó una reducción de las especies Ge-O en la superred durante el recocido térmico, acompañada de una transición de óxido de silicio deficiente en oxígeno a dióxido de silicio. Se propuso entonces un mecanismo de crecimiento que implicaba la separación de fases de subóxidos de Ge (GeO x) para explicar estos resultados y complementar los modelos de crecimiento existentes para Ge-ncs en películas de SiO2. Un análisis más detallado de la estructura de enlace de los átomos de Ge sugirió que es probable que los Ge-ncs tengan una estructura de núcleo-cáscara con una capa superficial de tipo amorfo, compuesta por el complejo ternario GeSiO. Se calculó que el grosor de la capa superficial era de unos pocos angstroms y equivalente a varios grosores de capa atómica.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:ncs, varios espesores de capa atómica, fracción de volumen de cristalinidad, óxido de silicio deficiente, como capa superficial, valores globales bajos, espesor de capa superficial, microscopía electrónica de transmisión, análisis posterior, átomos ge
• Keywords:ncs, several atomic layer thicknesses, crystallinity volume fraction, deficient silicon oxide, like surface layer, overall low values, surface layer thickness, transmission electron microscopy, further analysis, ge atoms