Resumen

Se ha estudiado el mecanismo de disolución transpasiva del acero inoxidable AISI 321 en una solución de sulfato 0,5 M mediante espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS). A partir de los resultados experimentales, la aproximación de la carga superficial y el modelo de defecto puntual, se propone un modelo cinético del proceso de disolución transpasiva. La película transpasiva se modela como una estructura semiconductora altamente dopada de tipo n-insulador-semiconductor de tipo p. La inyección de defectos negativos en la interfase película transpasiva/solución da lugar a su acumulación como carga superficial negativa. Altera la tasa de crecimiento no estacionaria de la película transpasiva controlada por el transporte de defectos positivos (vacantes de oxígeno). El modelo describe el proceso como disolución de Cr como Cr (VI) y de Fe como Fe (III) a través de la película transpasiva mediante vías de reacción paralelas.

• Materias:Catálisis Electroquímica Electrodos Voltamperometría Biosensor electroquímico Biosensores
• Subjects:Catalysis Electrochemistry Electrodes Voltammetry Electrochemical biosensor Biosensors
• Palabras claves:Película transpasiva, velocidad de crecimiento de la película transpasiva no estacionaria, solución de sulfato de M, espectroscopia de impedancia electroquímica, carga superficial negativa, vías de reacción paralelas, resultados de la interfaz de la solución, enfoque de la carga superficial, mecanismo de disolución transpasiva, proceso de disolución transpasiva.
• Keywords:transpassive film, nonstationary transpassive film growth rate, M sulphate solution, electrochemical impedance spectroscopy, negative surface charge, parallel reaction paths, solution interface results, surface charge approach, transpassive dissolution mechanism, transpassive dissolution process