Resumen

La velocidad de formación de óxido durante el crecimiento de estructuras porosas sobre silicio se investigó mediante mediciones I-V in situ. Las medidas se diseñaron para obtener dos curvas I-V en poco tiempo (el tiempo total para las dos medidas fue de 300 segundos) teniendo en cuenta el hueco (en mA/cm2) para cada voltaje correspondiente. Las medidas I-V in situ se realizaron a diferentes profundidades/tiempos de poro, en la interfaz electrolito-punta de poro, mientras tiene lugar el grabado a base de Si tipo p. Los resultados mostraron una brecha I-V creciente, decreciente y constante en el tiempo, para macroporos, nanoporos y regímenes de electropulido, respectivamente. Esto estaba relacionado con la limitación de difusión esperada de las moléculas formadoras de óxido (H2O) que alcanzan la punta del electrolito-poro y la corriente de anodizado, mientras tiene lugar el grabado. El método puede seguir desarrollándose y tiene potencial para aplicarse a otros materiales semiconductores porosos grabados electroquímicamente.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:mediciones v, situ i, diferente profundidad de poro, interfaz punta de poro, materiales semiconductores porosos, electrolito, mediciones, lugar, tiempo, curvas v
• Keywords:v measurements, situ i, different pore depth, pore tip interface, porous semiconductor materials, electrolyte, measurements, place, time, v curves