Resumen

Estudiamos el comportamiento eléctrico y óptico de la célula solar HIT mediante mediciones y simulaciones optoeléctricas por TCAD. Comparamos la célula solar HIT con una célula solar convencional de silicio cristalino para identificar los puntos fuertes y débiles de la tecnología HIT. Los resultados ponen de manifiesto distintos mecanismos de pérdida de eficiencia eléctrica y óptica causados por la presencia de la capa de silicio amorfo. La mayor resistividad de las capas de a-Si implica una menor distancia entre las líneas metálicas que provoca un mayor ensombrecimiento. El peor acoplamiento óptico entre el silicio amorfo y el recubrimiento antirreflectante implica un ligero aumento de la reflectividad en torno a la longitud de onda de 600 nm.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:célula solar, capa de silicio amorfo, silicio cristalino convencional, pérdidas de eficacia óptica, peor acoplamiento óptico, hit, tecnología hit, capas de si, simulaciones tcad, silicio amorfo
• Keywords:solar cell, amorphous silicon layer, conventional crystalline silicon, optical efficiency losses, worst optical coupling, hit, hit technology, si layers, tcad simulations, amorphous silicon