Resumen

Se simularon y probaron variaciones de dispositivos LDMOS con estructuras de blindaje de compuerta a tierra, con el objetivo de abordar simultáneamente la inmunidad a portadores calientes y la robustez. Se encontró que la configuración óptima de la estructura de blindaje de compuerta a tierra reduce la fuerza del campo eléctrico local en la superposición de compuerta a drenaje para una mejor inmunidad a portadores calientes, y logra una distribución uniforme del campo eléctrico en el lado del drenaje para una mayor robustez. El análisis del compromiso de diseño entre la inmunidad a portadores calientes (HCI) y la robustez se realiza mediante simulación y datos de silicio.

• Materias:Circuitos Transistores Estructuras de blindaje Robustez Supercondensador
• Subjects:Circuits Transistors Shielding structures Robustness Supercapacitor
• Palabras claves:MOSFET de canal largo; Blindaje de compuerta a tierra; Inmunidad a portadores calientes; Robustez; Intensidad del campo eléctrico; Compensación de diseño
• Keywords:Ldmos; Grounded gate shield; Hot carrier immunity; Robustness; Electrical field strength; Design trade off