Resumen

Se investigaron las propiedades materiales y ópticas de muestras de película delgada de ZnO crecidas sobre diferentes capas tampón sobre sustratos de zafiro mediante un crecimiento en dos etapas con variación de temperatura por epitaxia de haces moleculares. La fina capa tampón entre la capa de ZnO y el sustrato de zafiro redujo el desajuste de la red para conseguir un crecimiento de película fina de ZnO de mayor calidad. Una capa tampón de GaN aumentó ligeramente la calidad de la película delgada de ZnO, pero las dislocaciones enhebradas seguían extendiéndose a lo largo del eje c de la capa de GaN. El uso de MgO como capa tampón disminuyó la rugosidad superficial de la capa fina de ZnO en un 58,8 % debido a la supresión de las grietas superficiales por transferencia de deformación de la muestra. A partir de las mediciones de la emisión de niveles profundos y de la curva de balanceo, se descubrió que las dislocaciones de hilos desempeñan un papel más importante que las vacantes de oxígeno para el crecimiento de películas delgadas de ZnO de alta calidad.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:crecimiento de película delgada, zno, película delgada, dislocaciones enhebradas, crecimiento con variación de temperatura escalonada, capa tampón gan, emisión de nivel profundo, diferentes capas tampón, zno de mayor calidad, epitaxia de haz molecular
• Keywords:thin film growth, zno, thin film, threading dislocations, step temperature variation growth, gan buffer layer, deep level emission, different buffer layers, higher quality zno, molecular beam epitaxy