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Enhanced Light Scattering by Preferred Orientation Control of Ga Doped ZnO Films Prepared through MOCVDMejora de la dispersión de la luz mediante el control de la orientación preferente de películas de ZnO dopadas con Ga preparadas mediante MOCVD

Resumen

Hemos explorado un método eficaz para fabricar películas de GZO/ZnO que pueden crear estructuras superficiales piramidales de películas de GZO para una dispersión eficaz de la luz empleando una capa amortiguadora de ZnO a baja temperatura antes del crecimiento de la película de GZO a alta temperatura. Las películas delgadas de GZO presentan las típicas orientaciones de crecimiento preferentes a lo largo de la dirección cristalográfica (002) a una temperatura de deposición de 400°C y el SEM mostró que se formaba una estructura granular en forma de columna con superficie plana. Por el contrario, las películas de GZO con una superficie de textura piramidal se desarrollaron con éxito mediante el control de la orientación preferente (110). Se observó que la transmitancia difusa de la luz de la película con un GZO (800 nm)/ZnO (766 nm) mostraba un aumento del 13% a una longitud de onda de 420 nm debido al gran tamaño de grano formado en la superficie de textura piramidal. Así pues, las películas de GZO obtenidas depositadas sobre la capa tampón de ZnO tienen un alto potencial para su uso como capas frontales de TCO en células solares de película fina basadas en Si. Estos resultados podrían desarrollar la posibilidad de fabricar películas delgadas de ZnO basadas en TCO mediante técnicas de MOCVD o sputtering depositando una capa de ZnO a baja temperatura que sirva de plantilla para el crecimiento de películas de GZO a alta temperatura. Las películas de GZO presentaron propiedades optoeléctricas satisfactorias.

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