Resumen

Se fabricaron fotoánodos de ZnO:Cu de tipo n mediante una sencilla técnica de deposición por pulverización pirolítica. Se ha investigado la influencia de una baja concentración (rango ~10-4-10-1%) de dopaje de Cu en la red hexagonal de ZnO sobre su rendimiento fotoelectroquímico. Los fotoánodos dopados mostraron eficiencias de conversión 7 veces superiores a las de sus homólogos no dopados, estimadas a partir de las fotocorrientes generadas bajo radiación solar simulada. Se trata de la mayor mejora en la eficiencia de conversión solar registrada hasta la fecha para el ZnO dopado con Cu. Este rendimiento se atribuye al desplazamiento hacia el rojo de la brecha de banda de las películas dopadas con Cu y concuerda con las mediciones de la eficiencia de conversión incidente-fotón-corriente (IPCE). Los estudios electroquímicos revelan una naturaleza de tipo n de estos fotoánodos. Así pues, el estudio indica un elevado potencial de las películas de ZnO dopadas para aplicaciones de energía solar, en el ámbito del desarrollo de metodologías sencillas de nanoestructuración.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:técnica sencilla de deposición por pirólisis de pulverización, red hexagonal de zno, metodologías sencillas de nanoestructuración, radiación solar simulada, eficiencia de conversión solar, aplicaciones de la energía solar, rendimiento, fotoánodos, dopaje de cu, fotoánodos de cu
• Keywords:simple spray pyrolysis deposition technique, hexagonal zno lattice, simple nanostructuring methodologies, simulated solar radiation, solar conversion efficiency, solar energy applications, performance, photoanodes, cu doping, cu photoanodes