Resumen

Estudiamos un diseño de célula solar basada en InGaN con alto contenido en indio (0,8) en el que la capa activa de InGaN se intercala entre una capa de tapón de GaN y una capa espaciadora de GaN. La incorporación de la capa de sacrificio permite el grabado de la superficie frontal sin eliminar el InGaN activo, lo que da lugar a un aumento del 50 % de la densidad de corriente de cortocircuito para una capa de InGaN de 15 nm de grosor.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:capa espaciadora de gan, capa de tapa de sacrificio, diseño de célula solar, capa de ingan gruesa, capa de tapa de gan, alto contenido de indio, ingan activo, superficie frontal, densidad de corriente, capa
• Keywords:gan spacer layer, sacrificial cap layer, solar cell design, thick ingan layer, gan cap layer, high indium content, active ingan, front surface, current density, layer