Resumen

En este estudio, se mejoró la eficiencia de la multicristalina insertando una capa de óxido térmico de crecimiento en dos pasos como capa de pasivación superficial. El proceso de oxidación térmica en dos pasos puede reducir la recombinación de portadores en la superficie y mejorar la eficiencia de la célula. El primer paso de oxidación tuvo una temperatura de crecimiento de 780°C, un tiempo de crecimiento de 5 min, y con una relación de flujo de gas N2/O2 de 12 :1. La segunda oxidación tuvo una temperatura de crecimiento de 750°C, un tiempo de crecimiento de 20 min, y bajo un entorno de gas N2 puro. El tiempo de vida del portador aumentó a 15,45 μs, y la reflectancia se redujo un 0,52% utilizando el método de crecimiento en dos pasos en comparación con el método convencional de pasivación de óxido de crecimiento en un solo paso. En consecuencia, la eficiencia cuántica interna de la célula solar aumentó un 4,1%, y la eficiencia de conversión aumentó un 0,37%. Estos resultados demuestran que el proceso de oxidación térmica en dos pasos es una forma eficaz de aumentar la eficiencia de las células solares de silicio multicristalino.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Photoelectric effect
• Palabras claves:proceso de oxidación térmica, temperatura de crecimiento, tiempo de crecimiento, relación de flujo de gas o2, entorno de gas n2 puro, método de pasivación de óxido de crecimiento escalonado, primer paso de oxidación, eficiencia cuántica interna, método de crecimiento escalonado, capa de pasivación superficial
• Keywords:thermal oxidation process, growth temperature, growth time, o2 gas flow ratio, pure n2 gas environment, step growth oxide passivation method, first oxidation step, internal quantum efficiency, step growth method, surface passivation layer