Resumen

El diodo emisor de luz flip chip de alto voltaje (HVFC-LED) basado en GaN se diseña y desarrolla con el fin de mejorar la eficiencia. En nuestro diseño, el reflector de Bragg distribuido (DBR) se deposita en el sustrato adherido para aumentar la extracción de luz. Tras el proceso de flip chip, las características generales de corriente-tensión entre la muestra flip chip y la muestra tradicional son esencialmente las mismas. Con la ayuda del sustrato de silicio de gran conductividad térmica y el DBR inferior, el HVFC-LED es capaz de aumentar la potencia en un 37,1% en comparación con los LED de alto voltaje tradicionales. La eficiencia del HVFC-LED también muestra una buena reducción del droop de hasta el 9,9% en comparación con los dispositivos tradicionales.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:hvfc, led, sustrato de silicio de gran conductividad térmica, luz flip chip, proceso flip chip, muestra flip chip, buena reducción del droop, reflector de bragg, dbr inferior, mejora de la eficiencia
• Keywords:hvfc, led, great thermal conductive silicon substrate, flip chip light, flip chip process, flip chip sample, good droop reduction, bragg reflector, bottom dbr, efficiency enhancement