Resumen

Presentamos un informe sobre la fabricación de GaAs (100) poroso utilizando tres ácidos diferentes, H2SO4, HF y HCl, diluidos en soluciones basadas en DMF. La mezcla de H2SO4 con DMF mostró las mejores estructuras porosas en comparación con los otros ácidos. A continuación se varió la concentración de la solución de DMF para una concentración fija de H2SO4. Se observó que las distintas concentraciones del disolvente DMF daban lugar a distintos tipos de morfología del GaAs poroso. Además, una mayor densidad de corriente mejoraba la uniformidad de la distribución de los poros. El mejor GaAs poroso presentaba poros circulares bien definidos con una gran uniformidad. Hasta donde sabemos, nunca se había descrito una estructura de este tipo. Por último, se propusieron las condiciones óptimas de grabado de los poros.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:gaas poroso, h2so4, mejores estructuras porosas, poros de forma circular, mayor densidad de corriente, dmf, concentración, solución dmf, disolvente dmf, diferentes ácidos
• Keywords:porous gaas, h2so4, best porous structures, circular shaped pores, higher current density, dmf, concentration, dmf solution, dmf solvent, different acids