Resumen

Hemos investigado el efecto de la capa de recubrimiento de Si N x (nitruro de silicio) sobre la microestructura y las propiedades eléctricas y ópticas del poli-Si (silicio policristalino) preparado mediante cristalización inducida por aluminio (AIC). La estructura multicapa primaria comprendía una capa de Al (30 nm)/Si N x (20 nm)/a-Si (silicio amorfo) (100 nm)/vidrio recubierto de AIC y, a continuación, se recoció a una temperatura de recocido baja de 350°C con diferentes tiempos de recocido, 15, 30, 45 y 60 min. Las propiedades de cristalización se analizaron y verificaron mediante difracción de rayos X (DRX) y espectros Raman. El crecimiento del grano se analizó mediante microscopio óptico (OM) y microscopía electrónica de barrido (SEM). Las propiedades eléctricas mejoradas, como la movilidad Hall, la resistividad y la conductividad oscura, se investigaron mediante Hall y mediciones de corriente-voltaje ( I - V ). Los resultados muestran que la película de silicio amorfo se ha inducido eficazmente incluso a una temperatura baja de 350°C y un tiempo de recocido corto de 15 min e indican que la capa de recubrimiento de Si N x puede mejorar el crecimiento del grano y reducir el contenido metálico en la película de poli-Si inducida. Se observa que el tamaño de grano grande es superior a 20 μm y los valores de movilidad del portador son superiores a 80 cm2/V-s.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:crecimiento de grano, si n x, película de silicio amorfo, valores de movilidad de portador, diferentes tiempos de recocido, propiedades eléctricas mejoradas, gran tamaño de grano, estructura multicapa primaria, tiempo de recocido corto, capa
• Keywords:grain growth, si n x, amorphous silicon film, carrier mobility values, different annealing times, improved electrical properties, large grain size, primary multilayer structure, short annealing time, layer