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Artículo

Improved Light Output Power of Chemically Transferred InGaN/GaN Light-Emitting Diodes for Flexible Optoelectronic ApplicationsMejora de la potencia luminosa de los diodos emisores de luz InGaN/GaN de transferencia química para aplicaciones optoelectrónicas flexibles

Resumen

Las recientes necesidades de fuentes de iluminación semiconductoras han perseguido diversas funcionalidades, como la flexibilidad y la transparencia bajo una elevada eficiencia cuántica. Los diodos emisores de luz (LED) híbridos inorgánicos/orgánicos son una forma de satisfacer estos requisitos. En este trabajo se presentan los LED flexibles basados en nitruro III y la mejora de sus propiedades eléctricas y ópticas. Para conseguir una elevada potencia de emisión de luz y un funcionamiento con corriente estable, se llevó a cabo una epitaxia de alta calidad y un elaborado procesamiento del chip. Los LED flexibles fabricados triplicaron con creces la potencia de salida óptica de los LED normales de Si y presentaron una tensión directa y unas resistencias en serie comparables.

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