Resumen

Estudiamos la fotoluminiscencia (PL) de nanocristales de Si (Si-NCs) embebidos en SiO2 obtenidos por implantación iónica a energía MeV. Los Si-NCs se forman a gran profundidad (1-2 μm) dentro del SiO2 consiguiendo un sistema robusto y mejor protegido. Tras la implantación de iones metálicos (Ag o Au), y un posterior recocido térmico a 600°C bajo atmósfera que contiene hidrógeno, la señal PL exhibe un notable incremento. La implantación del ion metálico se realizó a energías tales que su distribución en el interior de la sílice no se solapa con la del ion de Si previamente implantado . Con un recocido adecuado, podrían nuclearse nanopartículas (NPs) de Ag o Au, y la señal PL de las Si-NC podría aumentar debido a las interacciones plasmónicas. Sin embargo, el daño inducido por la implantación del ion-metal puede aumentar la cantidad de hidrógeno, o nitrógeno, que se difunde en la matriz de SiO2. Como resultado, los defectos superficiales de los Si-NC pueden pasivarse mejor y, en consecuencia, se intensifica la PL del sistema. Hemos seleccionado diferentes atmósferas (aire, H2/N2 y Ar) para estudiar la relevancia de estos gases de recocido en el PL final de los Si-NCs tras la implantación de iones metálicos. Los estudios de PL y PL resuelto en el tiempo indican que el proceso de pasivación de defectos superficiales en Si-NCs es más efectivo cuando es asistido por la implantación de iones metálicos.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanomaterials
• Palabras claves:ncs, implantación iónica metálica, implantación iónica metálica, señal pl, defectos superficiales, recocido térmico posterior, sio2, hidrógeno, sistema, nanopartículas au
• Keywords:ncs, ion metal implantation, metal ion implantation, pl signal, surface defects, subsequent thermal annealing, sio2, hydrogen, system, au nanoparticles