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Enhanced Performance of Mg0.1Zn0.9O UV Photodetectors Using Photoelectrochemical Treatment and Silica NanospheresMejora del rendimiento de fotodetectores UV de Mg0.1Zn0.9O mediante tratamiento fotoelectroquímico y nanoesferas de sílice

Resumen

Las películas de Mg0,1Zn0,9O se cultivaron mediante el sistema de deposición de capas atómicas (ALD) y se aplicaron a fotodetectores ultravioleta metal-semiconductor-metal (MSM-UPDs) como capa activa. Para suprimir los enlaces colgantes en la superficie de Mg0.1Zn0.9O, se utilizó el tratamiento fotoelectroquímico (PEC) para pasivar la superficie de Mg0.1Zn0.9O, lo que podría reducir la corriente oscura de los MSM-UPDs en aproximadamente un orden. Además, para aumentar la cantidad de luz incidente en la capa activa de Mg0,1Zn0,9O de los MSM-UPDs, se aplicó un recubrimiento de nanoesferas de sílice de 500 nm de diámetro sobre la capa activa de Mg0,1Zn0,9O para mejorar la capacidad antirreflectante a la longitud de onda de 340 nm. La reflectividad de las películas de Mg0,1Zn0,9O con capa antirreflectante de nanoesferas de sílice disminuyó aproximadamente un 7,0% en comparación con las películas de Mg0,1Zn0,9O sin nanoesferas de sílice. La fotocorriente y la relación UV-visible de los MSM-UPDs de Mg0,1Zn0,9O pasivados con capa antirreflectante aumentaron hasta 5,85 μA y 1,44 × 10 4 , respectivamente, a una tensión de polarización de 5 V. Además, la potencia equivalente de ruido y la detectividad específica de los MSM-UPD de Mg0,1Zn0,9O pasivados con capa antirreflectante se redujeron a 2,60 × 10 - 13 W y aumentaron a 1,21 × 10 12 cmHz1/2W-1, respectivamente, a la tensión de polarización de 5 V. De acuerdo con lo mencionado anteriormente, el tratamiento PEC y la capa antirreflectante de nanoesferas de sílice podrían mejorar eficazmente el rendimiento de los MSM-UPDs de Mg0,1Zn0,9O.

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