Se fabricaron diodos emisores de luz blanca flip-chip (FCWLED) basados en GaN con reflector de nanorodos de ZnO difuso y con capa antirreflectante de nanorodos de ZnO. La matriz de nanorodos de ZnO cultivada mediante un método de solución acuosa se combinó con metal Al para formar el reflector de nanorodos de ZnO difuso. De este modo se pudo evitar la luz azul emitida por la capa de GaN dopada con Mg de los FCWLED, que provocaba una mayor emisión de luz azul desde el sustrato de zafiro para bombear el fósforo. Además, la matriz de nanorodos de ZnO se utilizó como capa antirreflectante de los FCWLED para reducir la pérdida total por reflexión. La potencia de salida de luz y la eficiencia de conversión del fósforo de los FCWLED con reflector de nanorodos difuso y capa antirreflectante de nanorodos de ZnO de 250 nm de longitud mejoraron de 21,15 mW a 23,90 mW y de 77,6% a 80,1% en comparación con los FCWLED con reflector de nanorodos difuso y sin capa antirreflectante de nanorodos de ZnO, respectivamente.
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