Resumen

Se han estudiado las propiedades optoelectrónicas de los diodos emisores de luz (LED) de pozos cuánticos múltiples de InGaN/GaN y de las células solares de GaAs de unión única mediante la introducción de nanoclusters luminiscentes de Au. La intensidad de electroluminiscencia de los LED de InGaN/GaN aumenta tras la incorporación de los nanoclusters luminiscentes de Au. Se obtiene un aumento del 15,4% en la eficiencia de conversión de energía para las células solares de GaAs en las que se han incorporado los nanoclusters de Au luminiscentes. Sugerimos que el aumento del acoplamiento de la luz debido a la dispersión radiativa de los nanoclusters es responsable de la mejora del rendimiento de los LED y las células solares.

• Materias:Análisis electroquímico Nanopartículas Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanoparticles Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system Nanotubes
• Palabras claves:nanoclusters au luminiscentes, células solares, eficiencia de conversión de energía, ingan, leds, gan leds, intensidad de electroluminiscencia, unión gaas, acoplamiento de luz, propiedades optoelectrónicas
• Keywords:luminescent au nanoclusters, solar cells, energy conversion efficiency, ingan, leds, gan leds, electroluminescence intensity, junction gaas, light coupling, optoelectronic properties