Resumen

Se utiliza un modelo compacto de transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono semiconductores de pared simple (CNTFET) que implementa el cálculo de mínimos de subbanda de conducción de energía en el simulador VHDLAMS para explorar el potencial de rendimiento de alta frecuencia del CNTFET. La frecuencia de corte esperada para un CNTFET de tipo MOSFET está muy por debajo del límite de rendimiento, debido a la gran capacitancia parásita entre electrodos. Demostramos que el uso de una matriz de nanotubos paralelos como canal del transistor, combinados en una geometría de dedos para producir un único transistor, reduce significativamente la capacitancia parásita por tubo y, por tanto, mejora el rendimiento a alta frecuencia.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:mínimos de la subbanda de conducción de energía, potencial de rendimiento en frecuencia, gran capacitancia parásita, carbono semiconductor amurallado, modelo compacto, simulador vhdlams, frecuencia de corte, transistores de efecto, geometría de los dedos, rendimiento en frecuencia
• Keywords:energy conduction subband minima, frequency performance potential, large parasitic capacitance, walled semiconducting carbon, compact model, vhdlams simulator, cutoff frequency, effect transistors, finger geometry, frequency performance