Resumen

Este documento discute la linealidad y la robustez juntas por primera vez, revelando una forma de mejorarlas. Revela que la transconductancia no lineal con el dispositivo funcionando en la región de cuasi-saturación es un factor significativo de la linealidad del dispositivo. El campo eléctrico pico es la causa raíz de la saturación de la velocidad de los electrones. El alto campo eléctrico en la región de deriva cerca del drenaje causará que se generen más pares electrón-hueco para activar el encendido del transistor NPN parásito, lo que puede provocar fallas en el dispositivo. Los dispositivos con diferentes dopajes en la región de deriva son simulados con TCAD y medidos. Con el dopaje LDD4, el campo eléctrico pico en la región de deriva se reduce; la región lineal de la transconductancia se amplía. La relación de potencia del canal adyacente se reduce en 2 dBc; se puede descargar un 12% más de potencia antes de que se active el transistor NPN, lo que indica una mejor lineal

• Materias:Circuitos Transistores Estructuras de blindaje Robustez Supercondensador
• Subjects:Circuits Transistors Shielding structures Robustness Supercapacitor
• Palabras claves:Discute; Linealidad; Robustez; Transconductancia; Campo eléctrico; Dopaje
• Keywords:Discusses; Linearity; Robustness; Transconductance; Electric field; Doping