Se estudia la célula solar de heterounión ZnS/CuInGaSe2 fabricada sobre vidrio recubierto de Mo. La cristalinidad de la capa absorbente de CIGS se prepara por el método de coevaporación y la capa tampón de ZnS con una brecha de banda de 3,21 eV. También se encontró la fase MoS2 en el sistema CuInGaSe2/Mo mediante HRTEM. El efecto de inmersión en la luz de la película fotoactiva durante 10 min produce un aumento de la F.F. de 55,8 a 64%, pero la resistividad en serie de 7,4 a 3,8 Ω. La eficiencia de los dispositivos mejoró del 8,12 al 9,50%.
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