Resumen

Propusimos y analizamos computacionalmente una SRAM multivaluada y no volátil utilizando una ReRAM. Dos resistencias de referencia y una resistencia programable están conectadas a los nodos de almacenamiento de una celda SRAM estándar. La celda MNV-SRAM de 9T3R propuesta puede almacenar 2 bits de memoria. En la operación de almacenamiento, la operación de recuperación y la decisión sucesiva de si es necesario o no un pulso de escritura se pueden realizar simultáneamente. Por lo tanto, no se requiere la duración de la operación de decisión ni el circuito al utilizar el esquema propuesto. Para realizar una operación de recuperación estable, se aplica una corriente (o voltaje) determinado a la celda antes de encender la fuente de alimentación. Para investigar la tolerancia a la variación del proceso y la precisión de la resistencia programada, simulamos el efecto de las variaciones en el ancho del transistor de la celda MNV-SRAM propuesta, la resistencia de la resistencia programable y el voltaje de la

• Materias:Circuitos Comportamiento eléctrico Microcontrolador Topología de lógica Transistores
• Subjects:Circuits Electrical behavior Microcontroller Logic topology Transistors
• Palabras claves:Propuesto; SRAM; ReRAM; MNV-SRAM; Simulación; Resistencia
• Keywords:Proposed; SRAM; ReRAM; MNV-SRAM; Simulation; Resistance