Resumen

Las películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) orientadas a (100) se depositaron correctamente sobre sustrato de Si tipo p mediante el método de pulverización catódica por magnetrón de radiofrecuencia (RF). Los parámetros óptimos de deposición fueron una potencia de RF de 350 W, una presión de cámara de 9 mTorr y una concentración de nitrógeno del 50%. En cuanto a las propiedades físicas, se obtuvo la microestructura de las láminas delgadas de AlN con orientación (002) y (100) depositadas y se compararon mediante patrones de DRX e imágenes de TEM. En cuanto al análisis de las propiedades eléctricas, se observó que las ventanas de memoria de las láminas delgadas de AlN con orientación (100) son mejores que las de las láminas delgadas con orientación (002). Además, la interfaz y la interacción entre el silicio y las láminas delgadas de AlN orientadas a (100) constituían un grave problema. Por último, también se analizaron los modelos de transporte actuales de las láminas delgadas de AlN (100)-orientado depositadas y recocidas. A partir de los resultados, sugerimos e investigamos que la gran ventana de memoria de las películas delgadas de AlN (100)-orientado recocido fue inducida por muchos dipolos y un gran campo eléctrico aplicado.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:películas delgadas, 100)-oriented aln, 002)-oriented thin films, modelos de transporte de corriente, análisis de propiedades eléctricas, campo eléctrico grande, ventana de memoria grande, parámetros óptimos de deposición, problema importante grave, sustrato tipo si
• Keywords:thin films, 100)-oriented aln, 002)-oriented thin films, current transport models, electrical properties analysis, large electric field, large memory window, optimal deposition parameters, serious important problem, type si substrate