Resumen

Se han estudiado las propiedades ópticas de los pozos cuánticos (QW) de GaAs/AlGaAs en las proximidades de puntos cuánticos (QD) de InAlAs y se han comparado con un modelo teórico para aclarar cómo afecta la deformación del QD a los estados electrónicos del QW cercano. Los QDs de In0,4Al0,6As están incrustados en la parte superior de los QWs; la capa de QDs actúa como fuente de deformación y como barrera energética. Las medidas de excitación de fotoluminiscencia (PLE) mostraron que la formación de QDs conduce al aumento de la relación Ie-lh/Ie-hh de las intensidades PLE para el agujero ligero (lh) y el agujero pesado (hh), lo que indica la presencia de la mezcla de la banda de valencia. También calculamos teóricamente la mezcla hh-lh en el QW debido a la deformación cercana del QD y evaluamos la relación PLE Ie-lh/Ie-hh.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:ple ratio ie, cepa cercana qd, mezcla banda de valencia, qws, in0.4al0.6as qds, propiedades ópticas, intensidades ple, excitación fotoluminiscencia, formación qd, capa qd
• Keywords:ple ratio ie, nearby qd strain, valence band mixing, qws, in0.4al0.6as qds, optical properties, ple intensities, photoluminescence excitation, qd formation, qd layer