Resumen

El comportamiento memristivo ha sido claramente abordado a través del crecimiento y contracción de filamentos delgados en uniones de metal-óxido. También se ha observado un cambio en la capacitancia, lo que plantea la posibilidad de utilizarlos como memcapacitores. Por lo tanto, este artículo demuestra que las uniones de metal-óxido pueden comportarse como un elemento memcapacitor al analizar sus características y modelar sus comportamientos memristivos y memcapacitivos. Desarrollamos dos técnicas de modelado del comportamiento: modelo de memcapacitor dependiente de carga y modelo de memcapacitor dependiente de voltaje. Se presenta un nuevo modelo físico para las uniones de metal-óxido basado en variaciones de filamentos conductores, y su efecto en la capacitancia y resistencia del dispositivo. En este modelo, aplicamos la naturaleza exponencial del crecimiento y contracción de filamentos delgados y utilizamos la ecuación de túnel de Simmons para calcular la corriente de túnel. Los resultados de la simulación muestran cómo las variaciones de

• Materias:Internet de las cosas Inteligencia artificial Contaminantes atmosféricos Sistema biométrico Aplicaciones
• Subjects:Internet of things Artificial intelligence Air pollutants Biometric system Applications
• Palabras claves:Comportamiento memristivo; Uniones metal-óxido; Memcapacitores; Técnicas de modelado; Filamentos conductores; Capacitancia del dispositivo
• Keywords:Memristive behavior; Metal-oxide junctions; Memcapacitors; Modeling techniques; Conducting filaments; Device capacitance