Resumen

Motivamos nuestro estudio mediante la simulación del transporte de partículas de un proceso de deposición de película delgada realizado mediante procesos de PVD (deposición física de vapor). En este trabajo presentamos un nuevo modelo que tiene en cuenta un modelo autoconsistente electrostático-partícula en celda con plasma de Argón de baja densidad. El modelo de colisión se basa en simulaciones de Monte Carlo para el sputtering DC en regímenes de baja presión. Para simular los fenómenos de transporte dentro de los procesos de sputtering de forma realista, se necesita un conocimiento espacial y temporal de la densidad del plasma y de la configuración del campo electrostático. Debido a las densidades de plasma relativamente bajas, las ecuaciones de fluido continuo no son aplicables. En su lugar, proponemos el método Particle-in-cell (PIC), que permite estudiar el comportamiento del plasma computando las trayectorias de partículas de tamaño finito bajo la acción de un campo eléctrico externo y autoconsistente definido en una malla de puntos.

• Materias:Simulación por computador Hidrodinámica Efecto térmico Cálculos de flujo Controlador de temperatura Simulación por computadora
• Subjects:Computerized simulation Hydrodynamics Thermal effect Flow calculations Temperature controller Computer simulation
• Palabras claves:Plasma de argón de baja densidad, proceso de deposición de películas finas, simulaciones Monte Carlo, campo eléctrico consistente, ecuaciones de fluido continuo, configuración del campo electrostático, bajas densidades de plasma, regímenes de baja presión, deposición física de vapor, procesos
• Keywords:low density Argon plasma, thin film deposition process, Monte Carlo simulations, consistent electric field, continuum fluid equations, electrostatic field configuration, low plasma densities, lower pressure regimes, physical vapor deposition, processes