Resumen

Presentamos un método novedoso para modelar el comportamiento de seguimiento de transistores de semiconductor que experimentan variaciones entre chips en un modelo compacto de Monte Carlo para simulaciones SPICE y mostramos una habilitación de relaciones de seguimiento simultáneas entre transistores en un chip en cualquier densidad de polisilicio, cualquier paso de puerta y cualquier ubicación física por primera vez. En separaciones más pequeñas, nuestra relación de seguimiento modelada versus ubicación física se reduce a la caracterización de Pelgrom sobre la discrepancia dependiente de la distancia del dispositivo. Nuestro método es muy compacto, ya que no utilizamos una matriz o un conjunto de soluciones propias para representar correlaciones entre transistores.

• Materias:Circuitos de inductancia Circuitos de oscilador Circuito híbrido Voltaje Universal Sensor termoeléctrico
• Subjects:Inductance circuits Oscillator circuits Hybrid circuit Universal Voltage Thermoelectric sensor
• Palabras claves:Modelo; Seguimiento de comportamiento; Transistores de semiconductores; Variaciones entre chips; Modelo compacto de Monte Carlo; Simulaciones SPICE
• Keywords:Model; Tracking behavior; Semiconductor transistors; Across-chip variations; Compact Monte Carlo model; SPICE simulations