Resumen

Este documento presenta el diseño de un oscilador MMIC que opera a una frecuencia de 38GHz. Este circuito fue fabricado por el Laboratorio IIIV con la nueva tecnología submicrónica de Transistor Bipolar de Doble Heterounión InP/GaAsSb (DHBT). El transistor utilizado en el circuito tiene un emisor de dos dedos de 15 µm de longitud. Este documento describe el modelado no lineal completo de este DHBT, incluyendo el modelado cíclico de sus fuentes de ruido de baja frecuencia (LF). El interés específico de la metodología utilizada para diseñar este oscilador radica en la capacidad de elegir una condición de operación no lineal del transistor a partir de un análisis en modo amplificador. Se comparan los resultados de simulación y medición del oscilador. Se ha medido una frecuencia de oscilación de 38GHz con una potencia de salida de 8.6dBm y un ruido de fase de 80dBc/Hz a 100KHz de desviación del portadora.

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Diseño; Oscilador MMIC; Frecuencia de 38GHz; Laboratorio IIIV; Transistor Bipolar de Doble Heterounión InP/GaAsSb; DHBT; Modelado no lineal; Modelado ciclostacionario; Fuentes de ruido de baja frecuencia; Condición de operación no lineal; Modo amplificador; Simulación; Resultados de medición; Potencia de salida de 8.6dBm; Ruido de fase de 80dBc/Hz.
• Keywords:Design; MMIC oscillator; 38GHz frequency; IIIV Lab; InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistor; DHBT; Nonlinear modeling; Cyclostationary modeling; Low frequency noise sources; Nonlinear operating condition; Amplifier mode; Simulation; Measurement results; 8.6dBm output power; 80dBc/Hz phase noise.