Resumen

Se propone un modelo compacto mejorado basado en física para un transistor de nanohilo de silicio con compuerta alrededor (GAA) simétricamente polarizado. Se consideran los efectos de canal corto y los efectos cuánticos causados por los dispositivos de silicio ultradelgados al modelar el voltaje umbral. La geometría del dispositivo juega un papel muy importante en los dispositivos multicompuerta, por lo que también se analiza su impacto en el voltaje umbral al variar la altura y el ancho del canal de silicio. La carga de inversión y la distribución del potencial eléctrico a lo largo del canal se expresan en sus formas cerradas. El modelo propuesto muestra una excelente precisión con las simulaciones TCAD del dispositivo en el régimen de inversión débil.

• Materias:Circuitos Comportamiento eléctrico Microcontrolador Topología de lógica Transistores
• Subjects:Circuits Electrical behavior Microcontroller Logic topology Transistors
• Palabras claves:Mejorado; Basado en física; Modelo compacto; Polarizado simétricamente; Transistor de nanocables de silicio de compuerta total
• Keywords:Improved; Physics-based; Compact model; Symmetrically biased; Gate-all-around; Silicon nanowire transistor