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Artículo

Modeling and Extraction of Parameters Based on Physical Effects in Bipolar TransistorsModelado y extracción de parámetros basados en efectos físicos en transistores bipolares

Resumen

La creciente complejidad de los sistemas electrónicos, la reducción del tamaño de los componentes y el incremento de las frecuencias de trabajo demandan cada vez circuitos integrados más precisos y estables, que requieren programas de simulación más precisos durante el proceso de diseño. PSPICE, ampliamente utilizado para simular el comportamiento general de los circuitos integrados, no considera muchos de los efectos físicos que se pueden encontrar en dispositivos reales. Se han desarrollado modelos compactos, HICUM y MEXTRAM, en las últimas décadas, para eliminar esta deficiencia. Este artículo presenta algunos de los aspectos físicos que no se han estudiado hasta ahora, como la expresión del voltaje base-emisor, incluyendo el efecto del coeficiente de emisión del emisor (), explicación física y procedimiento de simulación, así como un nuevo método de extracción para el potencial de difusión , basado en la capacitancia base-emisor polarizada directamente, mostrando una excelente concordancia entre los resultados experimentales y teóricos.

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